美光第九代NAND闪存：276层堆叠、3600MT/s接口、写入速度提升88%

在令人眼花缭乱的数字背后我们发现了一些有趣的现象。第一个是第九代NAND的名称。事实上，它是美光推出的第七代3D NAND闪存。为什么用第九代这个名字？ PCEVA小编认为，可能还是有与三星九代V-NAND竞争的意图。后者已于今年早些时候量产，堆叠层数接近美光新产品。与英特尔和AMD在芯片组命名上的数字胜利法类似，美光没有直接称其为第十代，这是出于礼貌。

接下来我们看看3600MT/s的闪存接口。为了满足更快的PCIe 5.0接口的需求，闪存正在向更高的接口带宽方向发展。三星的第九代V-NAND闪存接口速度为3200MT/s，而美光则提出了3600MT/s的数字。然而，率先使用该闪存的美光2650 SSD的顺序读取速度仅为7000MB/s，这意味着实际闪存接口速度仅为2400MT/s。显然，美光又重复了上一代232层堆叠3D NAND闪存的老路：先画饼，后面再慢慢实现。

至于读取性能提升99%和写入性能提升88%，这些数字是美光对SK海力士、Solidigm、Kioxia、西部数据和三星竞品的比较得出的。美光在细则中没有透露具体的测试方法。不过小编认为写入性能的提升是有坚实基础的。在今年年初的国际固态电路会议（ISSCC）上，美光介绍了这款2YY层堆叠3D TLC闪存的写入带宽性能：300MB/s。 Kioxia BiCS6的数据为160MB/s。与美光的新款闪存相比，几乎提升了88%。

与未具体说明的竞争型号相比，存储密度也增加了73%。 Block Files询问美光，得到的答案是：比上一代（232层堆栈）增加了44%。空间效率提升28%是指其11.5 x 13.5毫米封装，比普通12 x 18毫米缩小28%。较小的封装尺寸在E1.S和E3.S企业级SSD中具有一定的优势，但对M.2消费级SSD的影响不是很明显。